Naon MOSFET? Naon parameter utama?

Nalika ngarancang catu daya switching atanapi sirkuit drive motor nganggoMOSFETs, Faktor-faktor sapertos on-resistance, tegangan maksimum, sareng arus maksimum MOS umumna dianggap.

Tabung MOSFET mangrupikeun jinis FET anu tiasa didamel salaku jinis paningkatan atanapi deplesi, saluran P atanapi saluran N jumlahna aya 4 jinis. ningkatna NMOSFETs na ningkat PMOSFETs umumna dipaké, sarta dua ieu biasana disebutkeun.

Dua ieu nu leuwih ilahar dipake nyaeta NMOS. alesan teh nya eta lalawanan conductive leutik tur gampang pikeun rancang. Ku alatan éta, NMOS biasana dipaké dina switching catu daya sarta aplikasi drive motor.

Di jero MOSFET, thyristor disimpen antara solokan sareng sumberna, anu penting pisan dina nyetir beban induktif sapertos motor, sareng ngan aya dina MOSFET tunggal, henteu biasana dina chip sirkuit terpadu.

Kapasitansi parasit aya antara tilu pin MOSFET, sanés yén urang peryogina, tapi kusabab keterbatasan prosés manufaktur. Ayana kapasitansi parasit ngajadikeun eta leuwih pajeulit nalika ngarancang atawa milih sirkuit supir, tapi teu bisa dihindari.

Parameter utama tinaMOSFET

1, tegangan kabuka VT

Buka tegangan (ogé katelah tegangan bangbarung): supados tegangan Gerbang diperlukeun pikeun ngamimitian ngabentuk saluran conductive antara sumber S jeung solokan D; standar N-kanal MOSFET, VT nyaeta ngeunaan 3 ~ 6V; ngaliwatan perbaikan prosés, nilai MOSFET VT bisa diréduksi jadi 2 ~ 3V.

2, DC lalawanan input RGS

Babandingan tegangan ditambahkeun antara kutub sumber gerbang jeung ayeuna Gerbang Ciri ieu kadang dikedalkeun ku arus Gerbang ngalir ngaliwatan gerbang, nu MOSFET urang RGS bisa kalayan gampang ngaleuwihan 1010Ω.

3. Sumber solokan tegangan BVDS ngarecahna.

Dina kaayaan VGS = 0 (enhanced), dina prosés ngaronjatkeun tegangan solokan-sumber, ID naek sharply nalika VDS disebut tegangan ngarecahna solokan-sumber BVDS, ID naek sharply alatan dua alesan: (1) longsoran. ngarecahna lapisan depletion deukeut solokan, (2) ngarecahna penetrasi antara solokan jeung sumber kutub, sababaraha MOSFETs, nu boga panjang lombang pondok, ngaronjatkeun VDS supados lapisan solokan dina wewengkon solokan geus dimekarkeun ka wewengkon sumber, sahingga panjangna Channel nyaeta nol, nyaeta, pikeun ngahasilkeun penetrasi solokan-sumber, penetrasi, lolobana operator di wewengkon sumber bakal langsung katarik ku médan listrik tina lapisan depletion ka wewengkon solokan, hasilna ID badag.

4, Gerbang sumber tegangan ngarecahna BVGS

Nalika tegangan Gerbang ngaronjat, VGS nalika IG ngaronjat tina enol disebut tegangan ngarecahna sumber Gerbang BVGS.

5、Transkonduktansi frékuénsi low

Nalika VDS mangrupakeun nilai tetep, babandingan microvariation tina arus solokan jeung microvariation tina tegangan sumber Gerbang nu ngabalukarkeun parobahan disebut transconductance, nu ngagambarkeun kamampuh tegangan sumber gerbang ngadalikeun arus solokan, sarta mangrupa parameter penting nu characterizes kamampuhan amplifikasi tinaMOSFET.

6, on-lalawanan RON

Dina-lalawanan RON nembongkeun pangaruh VDS on ID, nyaéta kabalikan tina lamping garis tangent sahiji ciri solokan dina titik nu tangtu, di wewengkon jenuh, ID ampir teu robah jeung VDS, RON téh kacida gedéna. nilai, umumna dina puluhan kilo-Ohms nepi ka ratusan kilo-Ohms, sabab dina sirkuit digital, MOSFETs mindeng dianggo dina kaayaan tina conductive VDS = 0, jadi dina titik ieu, dina lalawanan. RON bisa diperkirakeun ku asal RON ka perkiraan, pikeun MOSFET umum, nilai RON dina sababaraha ratus ohm.

7, kapasitansi antar-polar

Kapasitansi interpolar aya antara tilu éléktroda: kapasitansi sumber gerbang CGS, kapasitansi gerbang solokan CGD sareng kapasitansi sumber solokan CDS-CGS sareng CGD sakitar 1 ~ 3pF, CDS sakitar 0.1 ~ 1pF.

8、Faktor noise frékuénsi low

Noise disababkeun ku irregularities dina gerakan operator dina pipa. Kusabab ayana, tegangan henteu teratur atawa variasi arus lumangsung dina kaluaran sanajan euweuh sinyal dikirimkeun ku amplifier. Kinerja noise biasana dinyatakeun dina watesan faktor noise NF. Hijian decibel (dB). Nu leuwih leutik nilai, nu kirang noise tube ngahasilkeun. Faktor bising frekuensi rendah nyaéta faktor bising anu diukur dina rentang frekuensi rendah. Faktor bising tina tabung éfék médan sakitar sababaraha dB, langkung handap tina triode bipolar.