Naon hartosna tilu pin G, S, sareng D tina MOSFET bungkusan?

Ieu bungkusanMOSFETsensor infra red pyroelectric. Pigura rectangular nyaéta jandela sensing. Pin G nyaéta terminal taneuh, pin D nyaéta solokan MOSFET internal, sareng pin S mangrupikeun sumber MOSFET internal. Dina sirkuit, G disambungkeun ka taneuh, D disambungkeun ka catu daya positif, sinyal infra red input ti jandela, sarta sinyal listrik kaluaran ti S.

Gerbang pangadilan G

Supir MOS utamana maénkeun peran ngawangun gelombang sareng ningkatna nyetir: Upami bentuk gelombang sinyal GMOSFETteu cukup lungkawing, éta bakal ngabalukarkeun jumlah badag leungitna kakuatan salila tahap switching. Pangaruh sampingna nyaéta ngirangan efisiensi konvérsi sirkuit. MOSFET bakal muriang parah sareng gampang ruksak ku panas. Aya capacitance tangtu antara MOSFETGS. , lamun sinyal G kamampuhan nyetir teu cukup, éta serius bakal mangaruhan waktos gelombang luncat.

Short-circuit kutub GS, pilih R × 1 tingkat multimeter nu, sambungkeun lead test hideung ka kutub S, jeung test beureum nuju kana kutub D. Résistansi kedah sababaraha Ω ka langkung ti sapuluh Ω. Lamun kapanggih yén résistansi tina hiji pin tangtu jeung dua pin na anu taya wates, tur éta kénéh euweuh watesna sanggeus exchanging test ngawujud, eta dikonfirmasi yén pin ieu kutub G, sabab geus insulated ti dua pin séjén.

Nangtukeun sumber S jeung solokan D

Nyetél multimeter ka R × 1k sarta ngukur lalawanan antara tilu pin mungguh. Anggo metodeu uji bursa pikeun ngukur résistansi dua kali. Anu mibanda nilai lalawanan handap (umumna sababaraha rébu Ω nepi ka leuwih ti sapuluh rébu Ω) nyaéta résistansi maju. Dina waktos ayeuna, kalungguhan tés hideung nyaéta kutub S sareng kalungguhan tés beureum dihubungkeun sareng kutub D. Kusabab kaayaan tés anu béda-béda, nilai RDS(on) anu diukur langkung luhur tibatan nilai umum anu dipasihkeun dina manual.

NgeunaanMOSFET

Transistor boga saluran tipe-N ku kituna disebut saluran-NMOSFET, atawaNMOS. P-kanal MOS (PMOS) FET ogé aya, nu mangrupakeun PMOSFET diwangun ku N-tipe BACKGATE enteng doped sarta sumber P-tipe na solokan.

Paduli N-tipe atawa P-tipe MOSFET, prinsip gawé na dasarna sarua. MOSFET ngadalikeun arus di solokan tina terminal kaluaran ku tegangan dilarapkeun ka gerbang tina terminal input. MOSFET mangrupakeun alat tegangan-dikawasa. Ngadalikeun karakteristik alat ngaliwatan tegangan dilarapkeun ka gerbang. Éta henteu ngabalukarkeun éfék neundeun muatan anu disababkeun ku arus dasar nalika transistor dianggo pikeun ngagentos. Ku kituna, dina ngalihkeun aplikasi,MOSFETskudu pindah gancang ti transistor.

FET ogé meunang ngaranna tina kanyataan yén input na (disebut gerbang) mangaruhan arus ngalir ngaliwatan transistor ku projecting hiji médan listrik kana hiji lapisan insulating. Kanyataanna, euweuh arus ngalir ngaliwatan insulator ieu, jadi GATE ayeuna tina tabung FET leutik pisan.

FET paling umum ngagunakeun lapisan ipis silikon dioksida salaku insulator handapeun GATE.

Jenis transistor ieu disebut transistor semikonduktor oksida logam (MOS), atanapi, transistor pangaruh médan semikonduktor oksida logam (MOSFET). Kusabab MOSFET langkung alit sareng langkung irit daya, aranjeunna parantos ngagentos transistor bipolar dina seueur aplikasi.