Naon anu jadi sabab inverter MOSFET pemanasan?

MOSFET inverter beroperasi dina kaayaan switching sareng arus anu ngalir ngaliwatan MOSFET kacida luhurna. Upami MOSFET henteu dipilih leres, amplitudo tegangan nyetir henteu cekap ageung atanapi dissipation panas sirkuit henteu saé, éta tiasa nyababkeun MOSFET panas.

1, inverter MOSFET pemanasan serius, kudu nengetanMOSFETpilihan

MOSFET dina inverter dina kaayaan switching, umumna merlukeun arus solokan na saloba mungkin, on-lalawanan sakumaha leutik-gancang, ku kituna anjeun bisa ngurangan serelek tegangan jenuh tina MOSFET, kukituna ngurangan MOSFET saprak konsumsi, ngurangan panas.

Pariksa manual MOSFET, urang bakal manggihan yén luhur nilai tegangan tahan tina MOSFET, nu leuwih gede dina lalawanan, sarta maranéhanana kalayan arus solokan tinggi, nilai tegangan tahan low tina MOSFET, na on-lalawanan umumna handap puluhan. miliohm.

Anggap yén beban ayeuna 5A, urang milih inverter ilahar dipaké MOSFETRU75N08R jeung tahan nilai tegangan 500V 840 tiasa, ayeuna solokan maranéhanana di 5A atawa leuwih, tapi dina lalawanan tina dua MOSFETs béda, ngajalankeun arus sarua. , bédana panas maranéhanana kacida gedéna. 75N08R on-resistance ngan 0.008Ω, sedengkeun on-resistance of 840 The on-resistance of 75N08R ngan 0.008Ω, sedengkeun on-resistance of 840 nyaeta 0.85Ω. Nalika arus beban anu ngalir ngaliwatan MOSFET nyaéta 5A, serelek tegangan MOSFET 75N08R ngan ukur 0.04V, sareng konsumsi MOSFET MOSFET ngan ukur 0.2W, sedengkeun serelek tegangan MOSFET 840 tiasa dugi ka 4.25W, sareng konsumsina. tina MOSFET saluhur 21.25W. Ti ieu, bisa ditempo yén on-lalawanan MOSFET béda ti on-resistance of 75N08R, sarta generasi panas maranéhanana pisan béda. Nu leuwih leutik dina lalawanan tina MOSFET, nu hadé, dina lalawanan tina MOSFET, tabung MOSFET dina konsumsi ayeuna tinggi cukup badag.

2, sirkuit nyetir tina amplitudo tegangan nyetir teu cukup badag

MOSFET mangrupakeun alat kontrol tegangan, upami Anjeun hoyong ngurangan konsumsi tube MOSFET, ngurangan panas, MOSFET Gerbang drive amplitudo tegangan kudu cukup badag, ngajalankeun ujung pulsa ka lungkawing, bisa nguranganMOSFETserelek tegangan tube, ngurangan konsumsi tube MOSFET.

3, MOSFET dissipation panas henteu ngabalukarkeun alus

Inverter MOSFET pemanasan serius. Salaku konsumsi tube MOSFET inverter badag, karya umumna merlukeun wewengkon éksternal cukup badag tina tilelep panas, sarta tilelep panas éksternal sarta MOSFET sorangan antara tilelep panas kedah dina kontak nutup (umumna diperlukeun pikeun coated kalawan conductive termal. gajih silikon), lamun tilelep panas éksternal leuwih leutik, atawa jeung MOSFET sorangan teu cukup deukeut jeung kontak tina tilelep panas, bisa ngakibatkeun pemanasan MOSFET.

Inverter MOSFET pemanasan serius aya opat alesan pikeun kasimpulan.

MOSFET slight pemanasan mangrupakeun fenomena normal, tapi pemanasan anu serius, komo ngakibatkeun MOSFET ieu dibeuleum, aya opat alesan di handap ieu:

1, masalah desain circuit

Hayu MOSFET dianggo dina kaayaan operasi linier, tinimbang dina kaayaan circuit switching. Éta ogé salah sahiji panyabab pemanasan MOSFET. Mun N-MOS ngalakukeun switching, tegangan G-tingkat kudu sababaraha V leuwih luhur ti catu daya pikeun pinuh on, sedengkeun P-MOS sabalikna. Henteu sapinuhna kabuka sareng serelek voltase ageung teuing nyababkeun konsumsi kakuatan, impedansi DC sarimbag langkung ageung, serelek tegangan ningkat, janten U * I ogé ningkat, leungitna hartosna panas. Ieu mangrupikeun kasalahan anu paling dihindari dina desain sirkuit.

2, frékuénsi luhur teuing

Alesan utama nyaéta yén sakapeung ngungudag kaleuleuwihan volume, nyababkeun paningkatan frekuensi,MOSFETkarugian dina badag, jadi panas ogé ngaronjat.

3, teu cukup desain termal

Lamun arus teuing tinggi, nilai ayeuna nominal tina MOSFET, biasana merlukeun dissipation panas alus pikeun ngahontal. Jadi ID nu kirang ti arus maksimum, éta ogé bisa panas nepi parah, perlu cukup tilelep panas bantu.

4, pilihan MOSFET salah

Salah judgment kakuatan, MOSFET lalawanan internal teu pinuh dianggap, hasilna ngaronjat impedansi switching.