Tingali kana MOSFETs

MOSFET mangrupikeun insulasi MOSFET dina sirkuit terpadu.MOSFET, salaku salah sahiji alat anu paling dasar dinasemikonduktor médan, loba dipaké dina sirkuit dewan-tingkat ogé dina IC design.The solokan jeung sumber tinaMOSFETs bisa interchanged, sarta kabentuk dina P-tipe backgate kalawan wewengkon N-tipe. Sacara umum, dua sumber bisa ditukeurkeun, duanana ngabentuk wewengkon tipe-N dinaP-tipe backgate. Sacara umum, dua zona ieu sami, sareng upami dua bagian ieu digentos, kinerja alatna moal kapangaruhan. Ku alatan éta, alat dianggap simetris.

Prinsipna:

MOSFET nganggo VGS pikeun ngontrol jumlah "muatan induksi" pikeun ngarobih kaayaan saluran konduktif anu dibentuk ku "muatan induksi" ieu pikeun ngontrol arus solokan. Nalika MOSFET diproduksi, sajumlah ageung ion positip muncul dina lapisan insulasi ngaliwatan prosés khusus, ku kituna langkung seueur muatan négatip tiasa dirasakeun dina sisi anu sanés, sareng daérah N tina najis perméabilitas tinggi disambungkeun ku ieu muatan négatip, sarta saluran conductive kabentuk, sarta arus solokan rélatif badag, ID, dihasilkeun sanajan VGS nyaeta 0. Lamun tegangan Gerbang dirobah, jumlah muatan ngainduksi dina saluran ogé robah, sarta lebar. tina saluran conductive robah ka extent sarua. Lamun tegangan Gerbang robah, jumlah muatan ngainduksi dina saluran ogé bakal robah, sarta lebar dina saluran ngalakonan ogé bakal robah, jadi ID ayeuna solokan bakal robah sapanjang kalawan tegangan Gerbang.

Peran:

1. Ieu bisa dilarapkeun ka sirkuit panguat. Kusabab impedansi input anu luhur tina panguat MOSFET, kapasitansi gandeng tiasa langkung alit sareng kapasitor éléktrolitik henteu tiasa dianggo.

Impedansi input anu luhur cocog pikeun konvérsi impedansi. Hal ieu mindeng dipaké pikeun konversi impedansi dina tahap input amplifier multi-tahap.

3, Ieu bisa dipaké salaku résistor variabel.

4, bisa dipaké salaku switch éléktronik.

MOSFET ayeuna dipaké dina rupa-rupa aplikasi, kaasup huluna frékuénsi luhur dina televisi jeung switching catu daya. Ayeuna, transistor biasa bipolar sareng MOS dihijikeun pikeun ngabentuk IGBT (transistor bipolar gerbang insulated), anu seueur dianggo di daérah kakuatan tinggi, sareng sirkuit terpadu MOS gaduh karakteristik konsumsi kakuatan anu rendah, sareng ayeuna CPU parantos seueur dianggo dina. sirkuit MOS.