Dinten dina ilahar dipaké-kakuatan tinggiMOSFETpikeun ngawanohkeun sakeudeung prinsip kerja na. Tempo kumaha eta sadar karya sorangan.
Metal-Oxide-Semiconduktor nyaéta, Metal-Oxide-Semiconduktor, persis, ngaran ieu ngajelaskeun struktur MOSFET dina sirkuit terpadu, nyaeta: dina struktur nu tangtu alat semikonduktor, gandeng jeung silikon dioksida jeung logam, formasi. tina gerbang.
Sumber na solokan MOSFET a opposable, duanana keur N-tipe zona kabentuk dina backgate P-tipe. Dina kalolobaan kasus, dua wewengkon anu sarua, sanajan dua tungtung adjustment moal mangaruhan kinerja alat, alat ieu dianggap simetris.
Klasifikasi: nurutkeun jenis bahan channel sarta tipe Gerbang insulated unggal N-kanal sarta P-kanal dua; nurutkeun kana mode conductive: MOSFET dibagi kana depletion na enhancement, jadi MOSFET dibagi kana N-kanal depletion na enhancement; P-kanal depletion sarta ningkatna opat kategori utama.
Prinsip operasi MOSFET - ciri struktural tinaMOSFETeta ngalaksanakeun ngan hiji pamawa polaritasna (polys) aub dina conductive nu, nyaéta transistor unipolar. Mékanisme ngalaksanakeun sami sareng MOSFET kakuatan rendah, tapi strukturna gaduh bédana ageung, MOSFET kakuatan rendah mangrupikeun alat konduktif horisontal, kalolobaanana struktur konduktif nangtung MOSFET kakuatan, ogé katelah VMOSFET, anu ningkatkeun MOSFET. tegangan alat jeung kamampuhan tahan ayeuna. Fitur utama nyaéta yén aya lapisan insulasi silika antara gerbang logam jeung saluran, sarta ku kituna ngabogaan résistansi input tinggi, tabung konduktor dina dua konsentrasi luhur n zone difusi pikeun ngabentuk saluran conductive n-tipe. MOSFETs ningkatna n-kanal kudu dilarapkeun ka gerbang kalawan bias maju, sarta ngan lamun tegangan sumber Gerbang leuwih gede dibandingkeun tegangan bangbarung tina channel conductive dihasilkeun ku MOSFET n-kanal. MOSFET tipe depletion n-kanal nyaéta MOSFET saluran-n dimana saluran konduktor dihasilkeun nalika teu aya tegangan gerbang anu diterapkeun (tegangan sumber gerbang nyaéta nol).
Prinsip operasi MOSFET nyaéta ngadalikeun jumlah "muatan induksi" ku ngagunakeun VGS pikeun ngarobih kaayaan saluran konduktif anu dibentuk ku "muatan induksi", teras pikeun ngahontal tujuan ngadalikeun arus solokan. Dina pembuatan tabung, ngaliwatan prosés insulating lapisan dina mecenghulna sajumlah badag ion positif, jadi di sisi séjén panganteur nu bisa ngainduksi muatan leuwih négatip, ieu muatan négatip ka penetrasi tinggi najis dina N. wewengkon disambungkeun ka formasi saluran conductive, malah dina VGS = 0 aya ogé ID ayeuna leakage badag. nalika tegangan Gerbang dirobah, jumlah muatan ngainduksi dina saluran ogé robah, sarta lebar channel conductive tur narrowness sahiji saluran sarta robah, sahingga ID ayeuna leakage jeung tegangan Gerbang. ID ayeuna beda-beda jeung tegangan Gerbang.
Ayeuna aplikasi tinaMOSFETgeus greatly ningkat learning jalma, efisiensi gawé, bari ngaronjatkeun kualitas hirup urang. Urang boga pamahaman leuwih rationalized eta ngaliwatan sababaraha pamahaman basajan. Henteu ngan éta bakal dipaké salaku alat, leuwih pamahaman ciri na, prinsip gawé, nu ogé bakal masihan urang loba senang.
waktos pos: Apr-18-2024
