Kiwari, kalayan gancangna perkembangan sains sareng téknologi, semikonduktor dianggo dina seueur industri, dimanaMOSFET ogé dianggap alat semikonduktor pisan umum, lengkah saterusna nyaeta ngartos naon beda antara karakteristik transistor kristal kakuatan bipolar jeung MOSFET kakuatan kaluaran.
1, cara gawé
MOSFET mangrupikeun padamelan anu diperyogikeun pikeun ngamajukeun tegangan operasi, diagram sirkuit ngajelaskeun kawilang saderhana, ngamajukeun kakuatan leutik; transistor kristal kakuatan nyaéta aliran kakuatan pikeun ngamajukeun desain program anu leuwih kompleks, pikeun ngamajukeun spésifikasi tina pilihan hésé ngamajukeun spésifikasi bakal jeopardize catu daya total speed switching.
2, total laju switching tina catu daya
MOSFET kapangaruhan ku hawa anu leutik, catu daya switching kakuatan kaluaran bisa mastikeun yén leuwih ti 150KHz; transistor kristal kakuatan boga saeutik pisan bébas muatan waktu neundeun wates speed switching catu daya na, tapi kakuatan kaluaran na umumna teu leuwih ti 50KHz.
3. Wewengkon kerja anu aman
kakuatan MOSFET teu boga dasar sekundér, sarta wewengkon gawé aman lega; transistor kristal kakuatan boga kaayaan dasar sekundér, nu watesan wewengkon gawé aman.
4. Sarat kerja konduktor listrik tegangan kerja
KakuatanMOSFET milik tipe tegangan tinggi, sarat kerja konduksi tegangan kerja leuwih luhur, aya koefisien hawa positif; kakuatan transistor kristal euweuh urusan sabaraha duit anu tahan kana sarat gawe tegangan kerja, konduktor listrik tegangan kerja sarat kerja leuwih handap, sarta ngabogaan koefisien hawa négatip.
5, aliran kakuatan maksimum
Kakuatan MOSFET dina switching catu daya circuit catu daya circuit circuit catu daya circuit salaku switch catu daya, dina operasi sarta stabil karya di tengah, aliran kakuatan maksimum leuwih handap; sarta kakuatan transistor kristal di operasi sarta gawé stabil di tengah, aliran kakuatan maksimum leuwih luhur.
6. Biaya produk
Biaya kakuatan MOSFET rada luhur; biaya kakuatan kristal triode rada handap.
7. Pangaruh penetrasi
Power MOSFET teu boga pangaruh penetrasi; transistor kristal kakuatan boga pangaruh penetrasi.
8. Ngalihkeun leungitna
MOSFET switching leungitna teu hébat; kakuatan kristal transistor switching leungitna relatif badag.
Sajaba ti éta, Lolobana kakuatan MOSFET terpadu shock nyerep diode, sedengkeun kakuatan bipolar kristal transistor ampir euweuh shock terpadu nyerep diode.MOSFET shock nyerep diode ogé bisa jadi magnet universal pikeun switching catu daya sirkuit magnet coils méré sudut faktor kakuatan. tina saluran kaamanan aliran kakuatan. Éfék médan tube di shock nyerep dioda dina sakabéh prosés mareuman jeung dioda umum salaku ayana recovery tibalik arus aliran, dina waktos ieu dioda dina hiji sisi nyandak nepi ka solokan - sumber kutub positif tengah badag. naékna sarat gawé tina tegangan operasi, di sisi séjén, sarta arus recovery sabalikna.
waktos pos: May-23-2024
