"MOSFET" nyaéta singketan tina Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. Éta mangrupikeun alat anu didamel tina tilu bahan: logam, oksida (SiO2 atanapi SiN) sareng semikonduktor. MOSFET mangrupikeun salah sahiji alat anu paling dasar dina widang semikonduktor. Naha éta aya dina desain IC atanapi aplikasi sirkuit tingkat dewan, éta éksténsif pisan. Parameter utama MOSFET kaasup ID, IDM, VGSS, V (BR) DSS, RDS (on), VGS (th), jsb Naha anjeun terang ieu? OLUKEY Company, salaku winsok Taiwanese pertengahan ka luhur-tungtung sedeng jeung low-teganganMOSFETpanyadia ladenan agén, boga tim inti jeung ampir 20 taun pangalaman pikeun ngajelaskeun ka anjeun di jéntré rupa parameter MOSFET!
Katerangan ngeunaan harti parameter MOSFET
1. Parameter ekstrim:
ID: Maksimum solokan-sumber ayeuna. Ieu nujul kana arus maksimum diwenangkeun ngaliwatan antara solokan jeung sumber nalika transistor éfék médan beroperasi normal. Arus operasi tina transistor éfék médan teu kudu ngaleuwihan ID. Parameter ieu turun nalika suhu simpang ningkat.
IDM: Maksimum pulsed solokan-sumber ayeuna. Parameter ieu bakal turun nalika suhu simpang ningkat, ngagambarkeun résistansi dampak sareng ogé aya hubunganana sareng waktos pulsa. Lamun parameter ieu leutik teuing, sistem bisa jadi dina resiko keur direcah ku arus salila nguji OCP.
PD: kakuatan maksimum dissipated. Ieu nujul kana dissipation kakuatan solokan-sumber maksimum diwenangkeun tanpa deteriorating kinerja transistor pangaruh widang. Nalika dianggo, konsumsi kakuatan saleresna FET kedah langkung handap tina PDSM sareng ninggalkeun margin anu tangtu. Parameter ieu umumna turun nalika suhu simpang ningkat
VDSS: Maksimum solokan-sumber tegangan tahan. Tegangan solokan-sumber nalika ngalir solokan ayeuna ngahontal nilai husus (surges sharply) dina suhu husus sarta gate-sumber sirkuit pondok. Tegangan solokan-sumber dina hal ieu disebut oge tegangan ngarecahna longsoran. VDSS boga koefisien hawa positif. Dina -50°C, VDSS kira-kira 90% tina éta dina 25°C. Kusabab sangu biasana ditinggalkeun dina produksi normal, tegangan ngarecahna longsoran MOSFET sok leuwih gede dibandingkeun tegangan dipeunteun nominal.
OLUKEYTips Haneut: Pikeun mastikeun reliabiliti produk, dina kaayaan kerja awon, eta disarankeun yén tegangan gawe teu kudu ngaleuwihan 80 ~ 90% tina nilai dipeunteun.
VGSS: Maksimum gerbang-sumber tahan tegangan. Ieu nujul kana nilai VGS nalika arus sabalikna antara Gerbang jeung sumber mimiti naek sharply. Ngalegaan nilai tegangan ieu bakal ngabalukarkeun ngarecahna diéléktrik lapisan oksida gerbang, nu mangrupakeun ngarecahna destructive tur teu bisa balik.
TJ: Suhu simpang operasi maksimum. Biasana 150 ℃ atanapi 175 ℃. Dina kaayaan gawé desain alat, perlu pikeun nyingkahan ngaleuwihan suhu ieu sarta ninggalkeun margin nu tangtu.
TSTG: rentang suhu gudang
Dua parameter ieu, TJ jeung TSTG, calibrate rentang hawa simpang diwenangkeun ku lingkungan gawé jeung neundeun alat. Kisaran suhu ieu disetel pikeun nyumponan sarat umur operasi minimum alat. Upami alat dipastikeun tiasa beroperasi dina kisaran suhu ieu, umur kerjana bakal diperpanjang pisan.
2. Parameter statik
Kaayaan tés MOSFET umumna 2.5V, 4.5V, sareng 10V.
V (BR) DSS: tegangan ngarecahna solokan-sumber. Ieu nujul kana tegangan solokan-sumber maksimum yén transistor éfék médan bisa tahan nalika tegangan Gerbang-sumber VGS 0. Ieu parameter ngawatesan, sarta tegangan operasi dilarapkeun ka transistor éfék médan kedah kirang ti V (BR) DSS. Cai mibanda ciri suhu positif. Ku alatan éta, nilai parameter ieu dina kaayaan suhu low kudu dianggap salaku tinimbangan kaamanan.
△V(BR)DSS/△Tj: Koéfisién suhu tegangan ngarecahna sumber solokan, umumna 0.1V/℃
RDS (on): Dina kaayaan nu tangtu VGS (biasana 10V), hawa simpang jeung arus solokan, résistansi maksimum antara solokan jeung sumber nalika MOSFET dihurungkeun. Éta parameter anu penting pisan anu nangtukeun kakuatan anu dikonsumsi nalika MOSFET dihurungkeun. Parameter ieu umumna ningkat nalika suhu sambungan naék. Ku alatan éta, nilai parameter ieu dina suhu simpang operasi pangluhurna kudu dipaké pikeun itungan leungitna sarta tegangan turun.
VGS(th): tegangan péngkolan-on (tegangan ambang). Nalika tegangan kontrol Gerbang éksternal VGS ngaleuwihan VGS (th), lapisan inversion beungeut cai jeung wewengkon sumber ngabentuk saluran disambungkeun. Dina aplikasi, tegangan Gerbang nalika ID sarua jeung 1 mA dina kaayaan pondok-circuit solokan mindeng disebut tegangan péngkolan-on. Parameter ieu umumna turun nalika suhu sambungan naék
IDSS: aliran solokan-sumber jenuh, arus solokan-sumber nalika tegangan Gerbang VGS = 0 sarta VDS mangrupakeun nilai nu tangtu. Umumna dina tingkat microamp
IGSS: Gerbang-sumber drive ayeuna atawa arus sabalikna. Kusabab impedansi input MOSFET ageung pisan, IGSS umumna dina tingkat nanoamp.
3. Parameter dinamis
gfs: transkonduktansi. Ieu nujul kana babandingan parobahan arus kaluaran solokan kana parobahan tegangan gerbang-sumber. Ieu mangrupikeun ukuran kamampuan tegangan sumber gerbang pikeun ngontrol arus solokan. Mangga tingali dina bagan pikeun hubungan transfer antara gfs jeung VGS.
Qg: Total kapasitas ngecas Gerbang. MOSFET mangrupakeun alat nyetir tipe tegangan. Prosés nyetir nyaéta prosés ngadegkeun tegangan gerbang. Ieu kahontal ku ngecas capacitance antara sumber Gerbang na Gerbang solokan. Aspék ieu bakal dibahas sacara rinci di handap.
Qgs: Kapasitas ngecas sumber Gerbang
Qgd: muatan gate-to-solokan (nyandak éfék Miller). MOSFET mangrupakeun alat nyetir tipe tegangan. Prosés nyetir nyaéta prosés ngadegkeun tegangan gerbang. Ieu kahontal ku ngecas capacitance antara sumber Gerbang na Gerbang solokan.
Td(on): waktos reureuh konduksi. Waktos ti nalika tegangan input naék ka 10% dugi VDS turun ka 90% tina amplitudo na
Tr: waktos naék, waktos tegangan kaluaran VDS turun tina 90% dugi ka 10% tina amplitudona
Td(pareum): Waktos tunda pareum, waktos ti nalika tegangan input turun ka 90% dugi ka VDS naék kana 10% tina tegangan pareumna
Tf: Waktos ragrag, waktos tegangan kaluaran VDS naék tina 10% dugi ka 90% tina amplitudona
Ciss: Input kapasitansi, pondok-circuit solokan jeung sumber, sarta ngukur kapasitansi antara gerbang jeung sumber jeung sinyal AC. Ciss = CGD + CGS (CDS sirkuit pondok). Éta gaduh dampak langsung kana péngkolan sareng mareuman telat alat.
Coss: Output capacitance, pondok-circuit Gerbang jeung sumber, sarta ngukur kapasitansi antara solokan jeung sumber jeung sinyal AC. Coss = CDS + CGD
Crss: Kapasitansi transmisi sabalikna. Kalayan sumber disambungkeun ka taneuh, kapasitansi diukur antara solokan jeung Gerbang Crss = CGD. Salah sahiji parameter penting pikeun saklar nyaéta waktos naék sareng turun. Crss=CGD
Kapasitas interelectrode sareng kapasitansi ngainduksi MOSFET tina MOSFET dibagi kana kapasitansi input, kapasitansi kaluaran sareng kapasitansi eupan balik ku kalolobaan pabrik. Nilai anu dicutat nyaéta pikeun tegangan solokan-ka-sumber anu tetep. capacitances ieu robah jadi tegangan solokan-sumber robah, sarta nilai kapasitansi miboga éfék kawates. Nilai kapasitansi input ngan ukur masihan indikasi perkiraan ngeunaan ngecas anu diperyogikeun ku sirkuit supir, sedengkeun inpormasi ngecas gerbang langkung mangpaat. Éta nunjukkeun jumlah énergi anu kedah dieusi ku gerbang pikeun ngahontal tegangan gerbang-ka-sumber khusus.
4. Parameter karakteristik ngarecahna longsoran
Parameter karakteristik ngarecahna longsoran mangrupikeun indikator kamampuan MOSFET pikeun nahan overvoltage dina kaayaan pareum. Lamun tegangan ngaleuwihan tegangan wates solokan-sumber, alat bakal dina kaayaan longsoran.
EAS: Énergi ngarecahna longsoran pulsa tunggal. Ieu parameter wates, nunjukkeun énergi ngarecahna longsoran maksimum nu MOSFET bisa tahan.
IAR: longsoran ayeuna
EAR: Énergi ngarecahna longsoran terus-terusan
5. Parameter dioda in vivo
IS: Arus freewheeling maksimum kontinyu (tina sumber)
ISM: pulsa arus freewheeling maksimum (tina sumber)
VSD: serelek tegangan maju
Trr: waktos recovery tibalik
Qrr: Pamulihan muatan malik
Ton: waktos konduksi maju. (Dasarna diabaikan)
MOSFET waktos péngkolan-on sareng watesan waktos pareum
Salila prosés aplikasi, ciri-ciri di handap ieu sering kedah dipertimbangkeun:
1. ciri koefisien hawa positif V (BR) DSS. Karakteristik ieu, anu béda ti alat bipolar, ngajantenkeun aranjeunna langkung dipercaya nalika suhu operasi normal ningkat. Tapi anjeun ogé kedah nengetan reliabilitas na nalika hawa tiis mimiti.
2. ciri koefisien hawa négatip tina V (GS) th. Potensi ambang gerbang bakal turun ka tingkat anu tangtu nalika suhu simpang ningkat. Sababaraha radiasi ogé bakal ngurangan poténsi bangbarung ieu, meureun malah handap 0 poténsial. Fitur ieu ngabutuhkeun insinyur pikeun nengetan gangguan sareng pemicu palsu MOSFET dina kaayaan ieu, khususna pikeun aplikasi MOSFET kalayan poténsi ambang rendah. Alatan ciri ieu, kadang perlu mendesain poténsi kaluar-tegangan supir Gerbang ka nilai négatip (ngarujuk kana N-tipe, P-tipe jeung saterusna) pikeun nyegah gangguan sarta triggering palsu.
3.Positip hawa koefisien ciri tina VDSon / RSo. Karakteristik yén VDSon / RDSon rada ningkat nalika suhu simpang naek ngamungkinkeun pikeun langsung nganggo MOSFET paralel. Alat bipolar ngan sabalikna dina hal ieu, ku kituna pamakéanana sacara paralel janten rada pajeulit. RDSon ogé bakal ningkat rada sakumaha ID naek. Karakteristik ieu sareng ciri suhu positip tina simpang sareng permukaan RDSon ngamungkinkeun MOSFET ngahindarkeun karusakan sekundér sapertos alat bipolar. Sanajan kitu, eta kudu dicatet yén pangaruh fitur ieu rada kawates. Lamun dipaké dina paralel, push-tarikan atawa aplikasi sejenna, Anjeun teu bisa sagemblengna ngandelkeun pangaturan diri fitur ieu. Sababaraha ukuran dasar masih diperyogikeun. Ciri ieu ogé ngécéskeun yén karugian konduksi jadi leuwih badag dina suhu luhur. Ku alatan éta, perhatian husus kudu dibayar ka seleksi parameter lamun ngitung karugian.
4. Karakteristik koefisien suhu négatip tina ID, pamahaman parameter MOSFET sareng ciri utama ID bakal turun sacara signifikan nalika suhu simpang ningkat. Ciri ieu ngajadikeun eta mindeng perlu mertimbangkeun parameter ID na dina suhu luhur salila desain.
5. ciri koefisien hawa négatip tina kamampuhan longsoran IER / EAS. Saatos suhu simpang naek, sanajan MOSFET bakal boga V (BR) DSS nu leuwih gede, eta kudu dicatet yén EAS bakal nyata ngurangan. Maksudna, kamampuanna pikeun nahan longsoran dina kaayaan suhu anu luhur langkung lemah tibatan dina suhu normal.
6. Kamampuh konduksi jeung kinerja recovery sabalikna tina dioda parasit di MOSFET nu teu hadé ti diodes biasa. Ieu teu diperkirakeun dipaké salaku pamawa ayeuna utama dina loop dina rarancang. Dioda blocking sering dihubungkeun sacara séri pikeun ngabatalkeun dioda parasit dina awak, sareng dioda paralel tambahan dianggo pikeun ngabentuk pamawa listrik sirkuit. Sanajan kitu, éta bisa dianggap salaku pamawa dina kasus konduksi jangka pondok atawa sababaraha sarat arus leutik kayaning rectification sinkron.
7. Naékna gancang tina poténsi solokan bisa ngabalukarkeun spurious-triggering tina drive Gerbang, ku kituna kamungkinan ieu kudu dianggap dina dVDS badag / aplikasi dt (frekuensi tinggi switching sirkuit gancang).
waktos pos: Dec-13-2023
