Kadua, ukuran watesan sistem
Sababaraha sistem éléktronik diwatesan ku ukuran PCB sareng internal jangkungna, such salaku sistem komunikasi, catu daya modular alatan watesan jangkungna biasana ngagunakeun DFN5 * 6, DFN3 * 3 pakét; dina sababaraha catu daya ACDC, pamakéan desain ultra-ipis atawa alatan keterbatasan cangkang, rakitan pakét TO220 tina suku MOSFET kakuatan langsung diselapkeun kana akar watesan jangkungna teu bisa maké pakét TO247. Sababaraha desain ultra-ipis langsung bending pin alat datar, prosés produksi desain ieu bakal jadi kompléks.
Katilu, prosés produksi pausahaan
TO220 boga dua rupa pakét: pakét logam bulistir jeung pakét palastik pinuh, pakét logam bulistir lalawanan termal leutik, pangabisa dissipation panas kuat, tapi dina prosés produksi, Anjeun kudu nambahan serelek insulasi, prosés produksi rumit sarta ongkosna mahal, sedengkeun pakét palastik pinuh résistansi termal badag, pangabisa dissipation panas lemah, tapi prosés produksina basajan.
Dina raraga ngurangan prosés jieunan tina screws Ngonci, dina taun panganyarna, sababaraha sistem éléktronik ngagunakeun klip kana kakuatanMOSFETs clamped dina tilelep panas, ku kituna mecenghulna bagian TO220 tradisional bagean luhur ngaleupaskeun liang dina bentuk anyar encapsulation, tapi ogé pikeun ngurangan jangkungna alat.
Kaopat, kontrol ongkos
Dina sababaraha aplikasi anu sensitip pisan sapertos papan induk sareng papan desktop, MOSFET kakuatan dina pakét DPAK biasana dianggo kusabab béaya rendah tina bungkusan sapertos kitu. Ku alatan éta, nalika milih pakét MOSFET kakuatan, digabungkeun jeung gaya parusahaan maranéhanana sarta fitur produk, sarta mertimbangkeun faktor di luhur.
Kalima, pilih tegangan tahan BVDSS di hal nu ilahar, sabab desain vo inputtéori éléktronik Sistim ieu rélatif dibereskeun, pausahaan milih hiji supplier husus sababaraha jumlah bahan, produk dipeunteun tegangan ogé dibereskeun.
Tegangan ngarecahna BVDSS tina MOSFET kakuatan dina lembar data parantos netepkeun kaayaan uji, kalayan nilai anu béda dina kaayaan anu béda, sareng BVDSS gaduh koefisien suhu anu positif, dina aplikasi saleresna kombinasi faktor ieu kedah dipertimbangkeun sacara komprehensif.
Seueur inpormasi sareng literatur sering disebatkeun: upami sistem kakuatan MOSFET VDS tina tegangan spike pangluhurna upami langkung ageung tibatan BVDSS, bahkan upami durasi tegangan pulsa spike ngan ukur sababaraha atanapi puluhan ns, kakuatan MOSFET bakal asup kana longsoran. sahingga karuksakan lumangsung.
Teu kawas transistor jeung IGBT, kakuatan MOSFET boga kamampuhan pikeun nolak longsoran, sarta loba pausahaan semikonduktor badag kakuatan MOSFET énergi longsoran dina garis produksi nyaéta inspeksi pinuh, deteksi 100%, nyaeta, dina data ieu ukuran dijamin, tegangan longsoran. biasana lumangsung dina 1.2 ~ 1.3 kali BVDSS, sarta lilana waktu biasana μs, sanajan tingkat ms, mangka durasi ngan sababaraha atawa puluhan ns, leuwih handap tina tegangan longsoran spike tegangan pulsa teu ngaruksak kana kakuatan MOSFET.
Genep, ku pilihan tegangan drive VTH
Sistem éléktronik béda tina MOSFET kakuatan dipilih tegangan drive teu sarua, AC / DC catu daya biasana ngagunakeun tegangan drive 12V, motherboard nu notebook urang DC / DC converter ngagunakeun tegangan drive 5V, jadi nurutkeun tegangan drive sistem pikeun milih tegangan bangbarung béda. MOSFET kakuatan VTH.
Tegangan bangbarung VTH tina MOSFET kakuatan dina lembar data ogé parantos netepkeun kaayaan tés sareng gaduh nilai anu béda dina kaayaan anu béda, sareng VTH gaduh koefisien suhu négatip. Tegangan drive anu béda VGS pakait sareng résistansi anu béda-béda, sareng dina aplikasi praktis hal anu penting pikeun tumut kana akun suhu.
Dina aplikasi praktis, variasi suhu kudu dibawa kana akun pikeun mastikeun yén kakuatan MOSFET dihurungkeun pinuh, bari di waktu nu sami mastikeun yén pulsa spike gandeng kana G-kutub salila prosés shutdown moal dipicu ku pemicu palsu mun. ngahasilkeun straight-through atawa short-circuit.
waktos pos: Aug-03-2024
