Naha anjeun terang ngeunaan évolusi MOSFET?

I. Konsep awal jeung eksplorasi

Konsep anu diusulkeun:Penemuan MOSFET tiasa dilacak dugi ka taun 1830-an, nalika konsép transistor pangaruh medan diwanohkeun ku Lilienfeld Jerman. Sanajan kitu, usaha salila periode ieu teu hasil dina ngawujudkeun hiji MOSFET praktis.

Hiji studi awal:Salajengna, Bell Labs tina Shaw Teki (Shockley) sareng anu sanésna ogé parantos nyobian diajar penemuan tabung pangaruh lapangan, tapi sami-sami gagal. Sanajan kitu, panalungtikan maranéhanana nempatkeun dasar pikeun ngembangkeun engké tina MOSFET.

II. Lahirna sareng pamekaran awal MOSFET

Terobosan konci:Taun 1960, Kahng sareng Atalla ngahaja nimukeun transistor efek medan MOS (transistor MOS kanggo pondok) dina prosés ningkatkeun kinerja transistor bipolar sareng silikon dioksida (SiO2). Penemuan ieu nandaan asupna formal MOSFET kana industri manufaktur sirkuit terpadu.

Ningkatkeun Kinerja:Kalayan ngembangkeun téknologi prosés semikonduktor, kinerja MOSFET terus ningkat. Contona, tegangan operasi MOS kakuatan-tegangan tinggi bisa ngahontal 1000V, nilai lalawanan MOS low on-lalawanan ngan 1 ohm, sarta frékuénsi operasi Bulan ti DC ka sababaraha megahertz.

III. Aplikasi lega MOSFET sareng inovasi téknologi

loba dipaké:MOSFET loba dipaké dina sagala rupa alat éléktronik, kayaning microprocessors, memori, sirkuit logika, jsb, kusabab kinerja alus teuing. Dina alat éléktronik modern, MOSFETs mangrupakeun salah sahiji komponén indispensable.

Inovasi téhnologis:Pikeun nyumponan sarat frékuénsi operasi anu langkung luhur sareng tingkat kakuatan anu langkung luhur, IR ngembangkeun MOSFET kakuatan anu munggaran. saterusna, loba jenis anyar alat kakuatan geus diwanohkeun, kayaning IGBTs, GTOs, IPMs, jsb, sarta geus beuki loba dipaké dina widang patali.

Inovasi bahan:Jeung kamajuan téhnologis, bahan anyar keur digali pikeun fabrikasi MOSFETs; contona, bahan silikon carbide (SiC) mimiti narima perhatian jeung panalungtikan alatan sipat fisik unggul maranéhanana. Bahan SiC boga konduktivitas termal luhur jeung rubakpita dilarang dibandingkeun jeung bahan Si konvensional, nu nangtukeun sipat alus teuing maranéhanana saperti dénsitas arus tinggi, luhur. kakuatan médan ngarecahna, sarta suhu operasi tinggi.

Kaopat, téknologi motong-ujung MOSFET sareng arah pangwangunan

Transistor Gerbang Ganda:Rupa-rupa téknik dicoba pikeun nyieun transistor gerbang ganda pikeun ningkatkeun kinerja MOSFET. Transistor MOS Gerbang ganda gaduh shrinkability anu langkung saé dibandingkeun sareng gerbang tunggal, tapi shrinkabilityna masih terbatas.

Pangaruh lombang pondok:Arah pangembangan penting pikeun MOSFET nyaéta pikeun ngajawab masalah pangaruh saluran pondok. Pangaruh saluran pondok bakal ngawates perbaikan salajengna tina kinerja alat, ku kituna perlu pikeun nungkulan masalah ieu ku cara ngurangan jero simpang sahiji wewengkon sumber na solokan, sarta ngaganti sumber na solokan PN junctions kalawan kontak logam-semikonduktor.