WSD6060DN56 N-kanal 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

pedaran pondok:

Nomer Bagian:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5mΩ

Saluran:N-kanal

Paket:DFN5X6-8

Kirim surélék ka kami PDF

Rincian produk

Aplikasi

Tag produk

Tinjauan produk WINSOK MOSFET

Tegangan WSD6060DN56 MOSFET nyaéta 60V, ayeuna nyaéta 65A, résistansi nyaéta 7.5mΩ, saluranna nyaéta saluran N, sareng pakétna nyaéta DFN5X6-8.

Wewengkon aplikasi WINSOK MOSFET

E-rokok MOSFET, MOSFET ngecas nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drones, MOSFET perawatan médis, MOSFET carjer mobil, MOSFET controller, MOSFET produk digital, MOSFET parabot rumah tangga leutik, MOSFET éléktronika konsumén.

WINSOK MOSFET pakait jeung nomer bahan brand séjén

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC696X.

Parameter MOSFET

Lambang	Parameter		Peunteun	Unit
Peunteun umum
VDSS	Solokan-Sumber tegangan		60	V
VGSS	Gerbang-Sumber tegangan		±20	V
T_J	Suhu simpang maksimum		150	°C
TSTG	Rentang Suhu Panyimpen		-55 nepi ka 150	°C
I_S	Dioda Arus Maju Kontinyu	T_c=25°C	30	A
ID	Kontinyu solokan Ayeuna	T_c=25°C	65	A
ID	Kontinyu solokan Ayeuna	T_c=70°C	42	A
Abdi DM b	Pulse solokan Ayeuna Diuji	T_c=25°C	250	A
P_D	Dissipation kakuatan maksimum	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Dissipation kakuatan maksimum	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Résistansi termal-simpang pikeun kalungguhan	Kaayaan aman	2.1	°C/W
RqJA	Résistansi Termal-Simpang ka Ambient	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Résistansi Termal-Simpang ka Ambient	Kaayaan aman^b	50	°C/W
Kuring AS^d	Arus longsoran, pulsa tunggal	L=0.5mH	18	A
E AS d	Énergi longsoran, pulsa tunggal	L=0.5mH	81	mJ

Lambang	Parameter	Kaayaan Test		Min.	Tip.	Max.	Unit
Ciri statik
BV_DSS	Solokan-Sumber ngarecahna tegangan	V_GS= 0V, abdi_DS=250mA		60	-	-	V
IDSS	Nol Gerbang Tegangan solokan Ayeuna	V_DS= 48 V, V_GS= 0V		-	-	1	mA
IDSS	Nol Gerbang Tegangan solokan Ayeuna						mA
			T_J= 85°C	-	-	30
VGS(th)	Tegangan bangbarung Gerbang	V_DS=V_GS, kuring_DS=250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Gerbang Leakage Ayeuna	V_GS= ± 20V, V_DS= 0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) 3	Solokan-Sumber Dina-nagara Résistansi	V_GS= 10 V, abdi_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Solokan-Sumber Dina-nagara Résistansi	V_GS= 4,5 V, kuring_DS= 15 A		-	10	15	m W
Ciri dioda
V SD	Tegangan Maju Dioda	I_SD= 1A, V_GS= 0V		-	0.75	1.2	V
t_rr	Ngabalikeun Time Pamulihan	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Ngabalikeun Pamulihan Charge	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Ciri Dinamis^3,4
R_G	Résistansi Gerbang	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Kapasitansi Input	V_GS= 0V, V_DS= 30 V, F=1.0MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Kapasitansi kaluaran			-	270	-
C_rss	Kapasitansi Transfer Balik			-	40	-
td (ON)	Hurungkeun-on Tunda Time	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Hurungkeun-on Rise Time			-	6	-
td (OFF)	Pareuman Waktos Tunda			-	33	-
t_f	Pareuman Waktos ragrag			-	30	-
Karakteristik muatan Gerbang ^3,4
Q_g	Total Gate Muatan	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V, kuring_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Total Gate Muatan	V_DS= 30 V, V_GS= 10 V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Gate bangbarung muatan			-	4.1	-
Q_gs	Gate-Sumber muatan			-	5	-
Q_gd	Gate-solokan muatan			-	4.2	-