WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

pedaran pondok:

Nomer Bagian:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14mΩ 

Saluran:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Rincian produk

Aplikasi

Tag produk

Ihtisar produk WINSOK MOSFET

Tegangan WSD6040DN56 MOSFET nyaéta 60V, ayeuna nyaéta 36A, résistansi nyaéta 14mΩ, saluranna nyaéta saluran N, sareng pakétna DFN5X6-8.

Wewengkon aplikasi WINSOK MOSFET

E-rokok MOSFET, MOSFET ngecas nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drones, MOSFET perawatan médis, MOSFET carjer mobil, MOSFET controller, MOSFET produk digital, MOSFET parabot rumah tangga leutik, MOSFET éléktronika konsumén.

WINSOK MOSFET pakait jeung nomer bahan brand séjén

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semikonduktor MOSFET PDC6964X.

Parameter MOSFET

Lambang

Parameter

Peunteun

Hijian

VDS

Solokan-Sumber tegangan

60

V

VGS

Gerbang-Sumber tegangan

±20

V

ID

Kontinyu solokan Ayeuna TC = 25°C

36

A

TC = 100°C

22

ID

Kontinyu solokan Ayeuna TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Pulsed solokan Ayeuna TC = 25°C

140

A

PD

Dissipation kakuatan maksimum TC = 25°C

37.8

W

TC = 100°C

15.1

PD

Dissipation kakuatan maksimum TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Arus longsoran, pulsa tunggal

L=0.5mH

16

A

EASc

Single Pulse longsoran énergi

L=0.5mH

64

mJ

IS

Dioda Arus Maju Kontinyu

TC = 25°C

18

A

TJ

Suhu simpang maksimum

150

TSTG

Rentang Suhu Panyimpen

-55 nepi ka 150

RθJAb

Thermal Résistansi simpang ka ambient

Kaayaan aman

60

/W

RθJC

Thermal Résistansi-simpang ka Case

Kaayaan aman

3.3

/W

 

Lambang

Parameter

Kaayaan

Min.

Tip.

Max.

Unit

Statik        

V(BR)DSS

Solokan-Sumber ngarecahna tegangan

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Nol Gerbang Tegangan solokan Ayeuna

VDS = 48 V, VGS = 0V

   

1

µA

 

TJ= 85°C

   

30

IGSS

Gerbang Leakage Ayeuna

VGS = ± 20V, VDS = 0V

    ± 100

nA

Dina Ciri        

VGS(TH)

Tegangan bangbarung Gerbang

VGS = VDS, IDS = 250µA

1

1.6

2.5

V

RDS(on)d

Solokan-Sumber Dina-nagara Résistansi

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V, ID = 20A

  19

22

Ngalihkeun        

Qg

Total Gate Muatan

VDS = 30 V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Aseum Muatan  

6.4

 

nC

Qgd

Gate-solokan muatan  

9.6

 

nC

td (on)

Hurungkeun-on Tunda Time

VGEN=10V

VDD = 30 V

ID=1A

RG=6Ω

RL = 30Ω

  17  

ns

tr

Hurungkeun-on naékna Time  

9

 

ns

td (pareum)

Pareuman Waktos Tunda   58  

ns

tf

Pareuman Waktos ragrag   14  

ns

Rg

lalawanan Gat

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamis        

Ciss

Dina Kapasitansi

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Kapasitansi kaluar   140  

pF

Crss

Kapasitansi Transfer Balik   100  

pF

Karakteristik dioda sumber solokan sareng Peunteun Maksimum        

IS

Kontinyu Sumber Ayeuna

VG=VD=0V , Angkatan Ayeuna

   

18

A

ISM

Sumber Pulsed Arus3    

35

A

VSDd

Tegangan Maju Dioda

ISD = 20A , VGS = 0V

 

0.8

1.3

V

trr

Ngabalikeun Time Pamulihan

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

Qrr

Ngabalikeun Pamulihan Charge   33  

nC


  • saméméhna:
  • Teras:

  • Tulis pesen anjeun di dieu sareng kirimkeun ka kami