WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produk

WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

pedaran pondok:

Nomer Bagian:WSD45N10GDN56

BVDSS:100V

ID:45A

RDSON:14,5mΩ

Saluran:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Rincian produk

Aplikasi

Tag produk

Tinjauan produk WINSOK MOSFET

Tegangan WSD45N10GDN56 MOSFET nyaéta 100V, ayeuna nyaéta 45A, résistansi nyaéta 14.5mΩ, saluranna nyaéta saluran N, sareng pakétna nyaéta DFN5X6-8.

Wewengkon aplikasi WINSOK MOSFET

E-rokok MOSFET, MOSFET ngecas nirkabel, MOSFET motor, MOSFET drones, MOSFET perawatan médis, MOSFET carjer mobil, MOSFET controller, MOSFET produk digital, MOSFET parabot rumah tangga leutik, MOSFET éléktronika konsumén.

WINSOK MOSFET pakait jeung nomer bahan brand séjén

AOS MOSFET AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.

Parameter MOSFET

Lambang

Parameter

Peunteun

Hijian

VDS

Solokan-Sumber tegangan

100

V

VGS

Gerbang-Source Tegangan

±20

V

ID@TC=25

Arus solokan kontinyu, VGS@10V

45

A

ID@TC=100

Arus solokan kontinyu, VGS@10V

33

A

ID@TA=25

Arus solokan kontinyu, VGS@10V

12

A

ID@TA=70

Arus solokan kontinyu, VGS@10V

9.6

A

IDMa

Pulsed solokan Ayeuna

130

A

EASb

Single Pulse longsoran énergi

169

mJ

IASb

Longsoran Ayeuna

26

A

PD@TC=25

Total Power Dissipation

95

W

PD@TA=25

Total Power Dissipation

5.0

W

TSTG

Rentang Suhu Panyimpen

-55 nepi ka 150

TJ

Kisaran Suhu Simpang Operasi

-55 nepi ka 150

 

Lambang

Parameter

kaayaan

Min.

Tip.

Max.

Unit

BVDSS

Solokan-Sumber ngarecahna tegangan VGS= 0V, abdiD= 250uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Koéfisién Suhu BVDSS Rujukan pikeun 25, kuringD= 1mA

---

0.0

---

V/

RDS(ON)d

Statik solokan-Sumber Dina Résistansi2 VGS= 10 V, abdiD=26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Tegangan bangbarung Gerbang VGS=VDS, kuringD= 250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Koéfisién Suhu

---

-5   mV/

IDSS

Solokan-Sumber Leakage Ayeuna VDS= 80 V, VGS= 0V, TJ=25

---

- 1

uA

VDS= 80 V, VGS= 0V, TJ=55

---

- 30

IGSS

Gerbang-Sumber Leakage Ayeuna VGS=±20 V, VDS= 0V

---

- ±100

nA

Rge

Résistansi Gerbang VDS= 0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Total muatan Gerbang (10V) VDS= 50 V, VGS= 10 V, abdiD=26A

---

42

59

nC

Qgse

Gate-Sumber muatan

---

12

--

Qgde

Gate-solokan muatan

---

12

---

Td (dina)e

Hurungkeun-Asupkeun Waktos Tunda VDD= 30 V, VGEN= 10V, RG=6Ω

ID=1A,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Waktos naék

---

9

17

Td (pareum)e

Pareuman-Pareuman Waktu Tunda

---

36

65

Tfe

Wanci ragrag

---

22

40

Cisse

Kapasitansi Input VDS= 30 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Kapasitansi kaluaran

---

215

---

Crsse

Kapasitansi Transfer Balik

---

42

---


  • saméméhna:
  • Teras:

  • Tulis pesen anjeun di dieu sareng kirimkeun ka kami